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High temperature effects on harmonic distortion in submicron SOI graded-channel MOSFETs
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Data
2011
Autor
Emam M.
Pavanello M.A.
Danneville F.
Vanhoenacker-Janvier D.
Raskin J.-P.
Metadata
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URI
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/1139
Descrição
The effect of elevated temperature on the harmonic distortion in Graded-Channel MOSFETs is presented in this work. The Graded-Channel devices show interesting advantages in terms of nonlinear behavior compared to classical devices especially at higher temperatures up to 200°C. © (2011) Trans Tech Publications, Switzerland.
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