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dc.contributor.authorEmam M.
dc.contributor.authorPavanello M.A.
dc.contributor.authorDanneville F.
dc.contributor.authorVanhoenacker-Janvier D.
dc.contributor.authorRaskin J.-P.
dc.date.accessioned2019-08-19T23:45:13Z
dc.date.available2019-08-19T23:45:13Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationEMAM, Mostafa; PAVANELLO, M.A.; DANNEVILLE, F.; VANHOENACKER-JANVIER, D.; RASKIN, Jean Pierre. High Temperature Effects on Harmonic Distortion in Submicron SOI Graded-Channel MOSFETs. ADVANCED MATERIALS RESEARCH (ONLINE), v. 276, p. 67-75, 2011.
dc.identifier.issn1022-6680
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/1139
dc.description.abstractThe effect of elevated temperature on the harmonic distortion in Graded-Channel MOSFETs is presented in this work. The Graded-Channel devices show interesting advantages in terms of nonlinear behavior compared to classical devices especially at higher temperatures up to 200°C. © (2011) Trans Tech Publications, Switzerland.
dc.relation.ispartofAdvanced Materials Research
dc.rightsAcesso Restrito
dc.titleHigh temperature effects on harmonic distortion in submicron SOI graded-channel MOSFETs
dc.typeArtigo


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