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Analysis of Mobility in Graded-Channel SOI Transistors aiming at Circuit Simulation
(2020-07-31)
This work presents an analysis of the behavior of the effective mobility of graded-channel FD SOI transistors us-ing an Y-Function-based technique. Low field mobility, linear and quadratic attenuation factors were extracted ...
UTBB MOSFETs Thermal Coupling Analysis in Technological Node Level
(2020-07-31)
The main goal of this work is to perform a first-time analysis of the thermal cross-coupling in a system composed by some devices in an integration node degree composed by advanced UTBB SOI MOSFETs through numerical ...
Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Este trabalho tem por objetivo estudar pela primeira vez o efeito da polarização de
substrato sobre o ruído de baixa frequência em nanofios transistores MOS, tipo N, totalmente
depletados, implementados em tecnologia ...
Aplicação do método SPLIT-CV para obtenção da mobilidade em nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Este trabalho tem por objetivo analisar a mobilidade dos nanofios transistores MOS, com diferentes larguras de aleta de Si que foi extraído usando a técnica de SPLIT-CV. Para realização deste trabalho de dissertação, foram ...
Desenvolvimento de uma técnica baseada no conceito de bombeamento de cargas para extração das armadilhas de interface em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Neste trabalho, é apresentado um estudo que visa deteminar a densidade de armadilhas de interface em transistores MOS sem junções (JNT). Uma vez que a quantidade de defeitos
contida nas interfaces do dispositivo está ...