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Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A tecnologia silício sobre isolante (Silicon-on-Insulator – SOI), aplicada à transistores MOS de efeito de campo, constitui um dos avanços na área de micro e nanoeletrônica. Uma vez adotada em substituição aos transistores ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Atualmente, uma série de trabalhos reportados na literatura mundial aponta a tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional na fabricação de ...