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Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho foi avaliado o comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLeak) em
transistores de multiplas portas (MuGFET) canal N na tecnologia de Silicio sobre Isolante
(SOI), operando desde a temperatura ambiente ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...
Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Neste trabalho realizou-se um estudo comparativo experimental entre um novo estilo de leiaute para ser empregado em Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), denominado de Wave, cujo formato de porta é ...
Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Estudo experimental do OCTO SOI MOSFET para a implementação de circuitos integrados analógicos e digitais
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho é estudado o inovador dispositivo OCTO SOI MOSFET (OSM) e suas devidas perspectivas de implementação em circuitos integrados analógicos e digitais. O OSM surgiu da necessidade de melhoria de determinadas ...
Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentes
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
O MOSFET de geometria de porta hexagonal (estilo de leiaute do tipo Diamante) foi especialmente projetado com o objetivo de melhorar o desempenho elétrico desses transistores, em comparação ao transistor de geometria de ...
Distorção harmônica entre os MOSFETs implementados com os estilos de leiaute do tipo diamante híbrido e convencionais
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Na atualidade, há diferentes frentes de pesquisa (uso de novas estruturas de transistores, novos materiais, etc.) quer nas instituições de ensino, quer nos centros de pesquisa, visando a redução das dimensões do Transistor ...
Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenho
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Este trabalho apresenta uma análise, realizada através de simulações numéricas bidimensionais, simulações SPICE e caracterizações experimentais, de associações série (SC), implementadas na tecnologia Camada de Silício e ...
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Efeito de eventos únicos em transistores MOS: classificação dos eventos via redes neurais profundas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Dispositivos eletrônicos são suscetíveis a defeitos causados por radiação ionizante, e o uso destes dispositivos é cada vez mais requisitado em aplicações embarcadas que operam em ambientes agressivos (presença de radiação) ...