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Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os circuitos integrados (CIs) e eletrônicos são bastante influenciados pelas radiações ionizantes. Para atender os rigorosos requisitos de operação desses CIs em ambiente espacial, há necessidade da realização de testes ...
Estudo de um regulador linear de tensão CL-LDO tolerante às radiações ionizantes para aplicações aeroespaciais
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Confiabilidade de dispositivos CMOS submetidos à radiação e campo magnético
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Neste trabalho, foi analisado o efeito da incidência de uma partícula ionizante em um transistor e em associações de transistores. Foi realizada, também, a comparação de leiautes distintos de transistores e de associações. ...
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Metodologia de testes para qualificação de sistemas eletrônicos expostos à radiação ionizante
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A eletrônica passou por diversos avanços nas últimas décadas, proporcionando um aumento na utilização de dispositivos eletrônicos em ambientes radiativos. Exemplos de dispositivos em tais ambientes podem ser encontrados ...
Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)