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Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)