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Caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância implementado com GC SOI MOSFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho é apresentado um estudo da caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância (OTA) implementados com transistores SOI de canal gradual (GC SOI) e, também fazer a validação do modelo ...
Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos. Dentre os novos dispositivos, o FinFET e o UTBB estão entre os poucos que permitem o ...
Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...
Modelagem analítica de transistores SOI de canal gradual com porta dupla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Apresenta-se neste trabalho o desenvolvimento de um modelo analítico para transistores nMOSFET de porta dupla (Double-Gate - DG) com canal gradual (Graded-Channel - GC) fabricados em tecnologia Silício sobre Isolante ...
Estudo da distribuição da corrente em MUGFETS e modelagem da resistência de espraiamento em FINFETS nanométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
O foco deste trabalho é estudar os caminhos da corrente em transistores de múltiplas portas em três regimes de operação (sublimiar, limiar e pós-limiar) e, a partir deste estudo, analisar e modelar o efeito do espraiamento ...
Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...
Estudo de modelos de mobilidade para simulação de dispositivos de múltiplas portas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A utilização da tecnologia SOI ajudou a melhorar a escalabilidade dos transistores mas, com a redução das dimensões, permaneceram relevantes alguns efeitos adversos e indesejáveis. Esses efeitos impulsionaram o desenvolvimento ...
Estudo de efeitos de canto em transistores de porta tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Neste trabalho são desenvolvidos estudos de efeito de canto em transistores tridimensionais do tipo SOI MOSFET com a segunda interface em depleção ou neutra, através de simulação numérica tridimensional. Foram simulados ...
Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O ruído é uma perturbação indesejada que ocorre na tensão e corrente elétrica, proveniente de meios internos ou externos, fazendo com que elas oscilem aleatoriamente. O valor de amplitude que tal perturbação irá apresentar ...