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Estudo comparativo da tensão de limiar, comprimento efetivo de canal, resistência série de fonte e dreno e de gm/IdsxIds/(W/L) entre o cynthia e o PSG com tecnologias de canal convencional e gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A crescente demanda por dispositivos eletrônicos integrados com baixa potência e baixa tensão motiva a comunidade científica na busca de novas tecnologias que supram estas necessidades. Atualmente, os dispositivos MOSFETs ...
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Este trabalho apresenta estudo referentes ao comportamento da corrente de fuga do dreno para o transistor SOI MOSFET de porta dupla (pd) em comparação com transistor SOI MOSFET convencional (pc), operando desde a temperatura ...
Estudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperatura
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado um estudo da corrente de fuga em dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas em duas estruturas geométricas: de porta retangular e de porta circular (CG). Estas estruturas são ...
Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional ...
Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado um estudo da não-linearidade introduzida por dispositivos de porta circundante (GAA), com e sem a presença da estrutura de canal gradual (GC). Esta estrutura é assim denominada por exibir dois ...
Estudo comparativo do ruído flicker (1/f) entre amplificadores operacionais de transcondutância utilizando tecnologia convencional e de canal gradual (GC) SOI nMOSFET
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Este trabalho tem por objetivo descrever a metodologia de desenvolvimento de projeto e realizar a caracterização elétrica em corrente contínua (CC) e alternada (AC), por simulação SPICE, de um amplificador operacional de ...
Estudo da distorção harmônica em transistores de porta circular usando tecnologia SOI CMOS sub-micrométrica de 0,13um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo de distorção harmônica entre transistores SOI nMOSFEts parcialmente depletados de porta de geometria circular e convencional, operando na região de saturação e em temperatura ...