Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturas

Abstract

Este trabalho apresenta estudo referentes ao comportamento da corrente de fuga do dreno para o transistor SOI MOSFET de porta dupla (pd) em comparação com transistor SOI MOSFET convencional (pc), operando desde a temperatura ambiente até 350 C. Os resultados obtidos neste trabalho foram realizados através do simulador ATLAS, utilizando a simulação bidimensional, onde foram analisados os seguintes parâmetros que serviram para o estudo da corrente de fuga do dreno: a influência da variação da espessura do filme de silício (tsi) na corrente de fuga, a influência do comprimento do canal (L) do transistor na corrente de fuga, a influência da variação da tensão de dreno (Vds) para a corrente de fuga, estudo das densidades da corrente e a sua composição (elétrons e lacunas) em função das variações mencionadas anteriormente ao longo do filme de silício de cada uma das estruturas aplicadas, o estudo da corrente de fuga variando a polarização do substrato para o transistor SOI nMOSFET convencioanl e a variação da polarização de uma das portas do SOI nMOSFET porta dupla mantendo a outra corrente

This work shows the comparison between the drain leakage current in the double gate SOI MOSFET transistor (dg) and the single gate SOI MOSFET transistor (sg), operating since room temperature uo to 300 C. The results were obtained through the ATLAS simulator, using bidimensional simualtion. The parameters used for the drain leakage current study were: the influence of the sislicon film thickness (tsi) variation in the leakage current, the influence of the transistor's channel length (L) in the leakage current, the influence of the drain voltage (Vds) variation in the leakage current, study of the leakage current density and its composition (electrons and holes) as function of the above variations along the silicon film of the studied structure, the study of the leakage current changing the substratum polarization for the single gate SOI nMOSFET transistor and changing one gate polarization of the double gate SOI nMOSFET transistor while maintaining the other gate polarization unchanged