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Modelagem de nanofios transistores MOS sem junções de porta dupla e tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de um modelo contínuo em todas as regiões de operação, para descrever a corrente elétrica de transistores MOS sem junções de canal curto. Para desenvolver este modelo, é ...
Different stress techniques and their efficiency on triple-gate SOI n-MOSFETs
(2015)
© 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.Three techniques to implement mechanical stress in n-channel Multiple Gate MOSFETs (MuGFETs) are investigated through 3D simulations and transconductance measurements. They are: ...
Influência da sequência de processamento nas propriedades de engenharia da blenda PP/SEBS contendo argila montmorilonita
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Esta pesquisa cientifica investigou a influência da argila montmorilonita (MMT) em uma blenda polimérica tenacificada, constituída por uma matriz de polipropileno (PP) e uma fase dispersa de um elastômero termoplástico ...
Processo de servitização e serviços avançados em empresas gráficas no Brasil e nos Estados Unidos - explorando a influência institucional
(Centro Universitário FEI, São Paulo, 2015)
Como ocorre a servitização e a entrega de serviços avançados em empresas gráficas no Brasil e nos Estados Unidos levando-se em consideração os fatores institucionais de cada país? A presente pesquisa aborda essa questão, ...
Diamond layout style impact on SOI MOSFET in high temperature environment
(2015)
© 2015 Elsevier Ltd.This work performs an experimental comparative study between the Diamond (hexagonal gate geometry) and Standard layouts styles for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor in high temperatures ...
Proposta de hardware para aquisição simultânea multicanal e sua aplicação na localização de fontes sonoras
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)