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Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Atualmente, uma série de trabalhos reportados na literatura mundial aponta a tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional na fabricação de ...