Search
Now showing items 21-28 of 28
Estudo comparativo de transistores SOI planares de alto desempenho analógico
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2022)
Devido às vantagens que transistores SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFETs apresentam em relação aos dispositivos MOS convencionais implementados em lâminas de silício, o interesse por seu uso em circuitos integrados vem ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Impacto da utilização da associação série assimétrica de transistores SOI nas características elétricas de espelhos de corrente
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem o objetivo de estudar o comportamento de espelhos de corrente de fonte comum implementados com Associações Séries Simétricas e Assimétricas de transistores SOI nMOSFET totalmente depletados, comparando-os ...
Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional ...
Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...
Avaliação do desempenho do transistor MOS sem junções configurado como Nanofio ou FINFET
(2020)
Esse trabalho estuda como as diferentes configurações de porta dos transistores MOS sem junções afetam suas características elétricas. Foram realizadas medidas em amostras experimentais com transistores MOS sem junções ...
Análise da mobilidade em transistores SOI de canal gradual visando simulações de circuitos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
de-Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor SOI cujo canal está dividido em duas regiões: uma região fortemente dopada e outra região fracamente dopada. A redução da concentração de dopantes na região do canal ...