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Influência do potencial de substrato sobre o ruído de baixa frequência de nanofios transistores MOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Este trabalho tem por objetivo estudar pela primeira vez o efeito da polarização de
substrato sobre o ruído de baixa frequência em nanofios transistores MOS, tipo N, totalmente
depletados, implementados em tecnologia ...
Desenvolvimento de uma técnica baseada no conceito de bombeamento de cargas para extração das armadilhas de interface em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Neste trabalho, é apresentado um estudo que visa deteminar a densidade de armadilhas de interface em transistores MOS sem junções (JNT). Uma vez que a quantidade de defeitos
contida nas interfaces do dispositivo está ...