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Estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre a corrente de dreno em MOSFETs com geometria de porta trapezoidal
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2014)
Este trabalho trata do estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre as características elétricas dos MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), com formato de portas não retangulares. Para ...