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Impacto da rotação do substrato sobre as características elétricas de FINFETS de porta tripla
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Esse trabalho estuda o transporte de portadores de carga em SOI n-FinFETs totalmente depletados de porta tripla, fabricados tradicionalmente e com a rotação do substrato em um angulo de 45º, com e sem tensão biaxial. Nos ...