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Estudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado um estudo da corrente de fuga em dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas em duas estruturas geométricas: de porta retangular e de porta circular (CG). Estas estruturas são ...