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Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado um estudo da não-linearidade introduzida por dispositivos de porta circundante (GAA), com e sem a presença da estrutura de canal gradual (GC). Esta estrutura é assim denominada por exibir dois ...