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Estudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperatura
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador ...