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A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ...
Simulação analítica de espelhos de corrente utilizando associação série do transistores SOI MOSFET
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Este trabalho apresenta uma análise das vantagens da utilização de associação série simétrica (S-SC) e assimétrica (A-SC) de SOI nMOSFETs em relação ao transistor SOI MOSFET isolado (ST) em blocos analógicos básicos. Além ...
Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os circuitos integrados (CIs) e eletrônicos são bastante influenciados pelas radiações ionizantes. Para atender os rigorosos requisitos de operação desses CIs em ambiente espacial, há necessidade da realização de testes ...
Estudo comparativo da tensão de limiar, comprimento efetivo de canal, resistência série de fonte e dreno e de gm/IdsxIds/(W/L) entre o cynthia e o PSG com tecnologias de canal convencional e gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A crescente demanda por dispositivos eletrônicos integrados com baixa potência e baixa tensão motiva a comunidade científica na busca de novas tecnologias que supram estas necessidades. Atualmente, os dispositivos MOSFETs ...
Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded-Channel - GC) submicrométrico a partir da comparação com o transistor SOI MOSFET convencional, detalhando suas características ...
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ...
Estudo e fabricação de MOSFETs robustos à radiação para aplicações espaciais de circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Atualmente circuitos integrados comerciais robustos a radiacao tem alto valor comercial, por causa da alta tecnologia envolvida (processo de manufatura e leiautes especiais), baixo volume de producao, acordos comerciais, ...
Implementação das leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência fabricados com diferentes estilos de leiaute
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
reduzir as dimensões do dispositivo e melhorar o desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs). Uma vertente que surge como uma alternativa sem gerar custos adicionais para o ...
Projeto, implementação e modelagem compacta de transistores MOSFET na configuração pseudorresistor para circuitos aplificadores de biosinais
(2020)
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um macromodelo PWL (PieceWise Linear) para a simulação SPICE de um pseudorresistor. A motivação da criação do modelo surgiu do fato que os pseudorresistores não conseguem ter o ...