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Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded-Channel - GC) submicrométrico a partir da comparação com o transistor SOI MOSFET convencional, detalhando suas características ...
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Atualmente, uma série de trabalhos reportados na literatura mundial aponta a tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional na fabricação de ...