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A relação entre os custos segurado e não segurado dos acidentes do trabalho
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A prevenção à ocorrência de acidentes, além do objetivo principal de preservar a integridade da vida humana, pode também ser pensada a partir de critérios econômicos, o que poderá gerar interesses das empresas em função ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Analysis of source-follower buffers implemented with graded-channel SOI nMOSFETs operating at cryogenic temperatures
(2009)
This work studies the operation of source-follower buffers implemented with standard and graded-channel (GC) fully depleted (FD) SOI nMOSFETs at low temperatures. The analysis is performed by comparing the voltage gain of ...
Volumetric properties of binary mixtures of dichloromethane and amines at several temperatures and p = 0.1 MPa
(2008)
In this work densities of binary mixtures of {dichloromethane (DCM) + n-butylamine (n-BA), or + s-butylamine (s-BA), or + t-butylamine (t-BA), or diethylamine (DEA), or + triethylamine (TEA)}, have been determined under ...
SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor
(2005)
In this paper a set of simple methods is presented, to determine the main parameters of the silicon on insulator technology, using a thin film SOI-MOS capacitor. Methods to obtain the effective substrate doping concentration, ...