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Simulação e caracterização elétrica de diodos de ultra baixa potência implementados em tecnologia SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)
Os dispositivos SOI CMOS estão entre os transistores planares de melhor desempenho, graças à presença de uma camada de óxido enterrado abaixo da região ativa da lâmina, que minimiza os efeitos causados pela redução das ...