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Mostrando ítems 11-20 de 45
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Estudo experimental da resposta em frequência entre o MOSFET do tipo diamante e o equivalente convencional para as tecnologias CMOS convencioanl e SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)
As pesquisas atuais têm como objetivo a redução nas dimensões dos circuitos integrados, o que tem sido alcançado com o desenvolvimento de novas tecnologias de transistores, como por exemplo, os MOSFETs tridimensionais, ...
Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotiva
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores ...
Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho foi avaliado o comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLeak) em
transistores de multiplas portas (MuGFET) canal N na tecnologia de Silicio sobre Isolante
(SOI), operando desde a temperatura ambiente ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...
Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Neste trabalho realizou-se um estudo comparativo experimental entre um novo estilo de leiaute para ser empregado em Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), denominado de Wave, cujo formato de porta é ...
Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Estudo experimental do OCTO SOI MOSFET para a implementação de circuitos integrados analógicos e digitais
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho é estudado o inovador dispositivo OCTO SOI MOSFET (OSM) e suas devidas perspectivas de implementação em circuitos integrados analógicos e digitais. O OSM surgiu da necessidade de melhoria de determinadas ...
Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentes
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
O MOSFET de geometria de porta hexagonal (estilo de leiaute do tipo Diamante) foi especialmente projetado com o objetivo de melhorar o desempenho elétrico desses transistores, em comparação ao transistor de geometria de ...
Estudo comparativo do comportamento da corrente de fuga em transistor SOI MOSFET convencional e de porta dupla operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Este trabalho apresenta estudo referentes ao comportamento da corrente de fuga do dreno para o transistor SOI MOSFET de porta dupla (pd) em comparação com transistor SOI MOSFET convencional (pc), operando desde a temperatura ...