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Mostrando ítems 21-30 de 35
Análise da densidade de carga de inversão na condição limiar, em função da temperatura, em UTBB SOI MOSFETS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Para suprir a crescente demanda de velocidade, desempenho e baixo consumo, a indústria de circuitos integrados tem se desenvolvido de forma agressiva nos últimos anos, consolidando a tecnologia CMOS como fator essencial ...
Simulação e caracterização elétrica de diodos de ultra baixa potência implementados em tecnologia SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)
Os dispositivos SOI CMOS estão entre os transistores planares de melhor desempenho, graças à presença de uma camada de óxido enterrado abaixo da região ativa da lâmina, que minimiza os efeitos causados pela redução das ...
Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem como objetivo estudar a influência de parâmetros tecnológicos, geométricos e de polarização sobre o comportamento analógico dos transistores Silício-Sobre-Isolante nMOSFET de Canal Gradual (GC SOI), ...
Modelagem, simulação e caracterização elétrica da associação série assimétrica de transistores SOI
(Centro Universitário FEI, São Benardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem como objetivo o estudo do desempenho analógico da associação série assimétrica (A-SC) composta por transistores planares e de múltiplas portas em tecnologia Silício-Sobre-Isolante (SOI). A estrutura A-SC ...
Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem como objetivo a implementação do modelo analítico estático e dinâmico do transistor MOS sem junções, proposto por Trevisoli et al. em linguagem VERILOG-A para utilização em simuladores do tipo SPICE. Esta ...
Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Este trabalho apresenta estudos iniciais referentes ao comportamento de um inversor lógico SOI MOSFET operando desde a temperatura ambiente à temperatura de 300ºC. Os resultados apresentados neste trabalho foram obtidos ...
Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, ...
Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho é apresentada uma análise dos efeitos da variação da temperatura sobre as características analógicas da associação série assimétrica (Asymmetric Self-Cascode – A-SC) de transistores nMOS implementados em ...