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Mostrando ítems 261-270 de 1516
Análise e modelagem da resistência de espraiamento em transistores FINFET
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
A resistência parasita nos transistores FinFET tende a apresentar valores elevados devido à estreita largura da aleta de silício e isto tem sido uma das principais limitações no uso deste tipo de dispositivo. Diversos ...
Methodology to separate channel conductions of two level vertically stacked SOI nanowire MOSFETs
(2018)
© 2018 Elsevier LtdThis work proposes a new method for dissociating both channel conductions of two levels vertically stacked inversion mode nanowires (NWs) composed by a Gate-All-Around (GAA) level on top of an Ω-gate ...
Effect of the back bias on the analog performance of standard FD and UTBB transistors-based self-cascode structures
(2017)
© 2017 IOP Publishing Ltd.This work demonstrates that active back biasing can improve significantly the analog performance of two-transistors self-cascode structures. The study was performed by applying both standard and ...
Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem por objetivo estudar a influência de diferentes tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS modo inversão (NWs) através da avaliação e comparação de suas características elétricas, obtidas ...
Normalização espacial não rígida de imagens assistida por metamodelos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Classicamente aplicados em simulações computacionais como CFD (Computational Fluid Dynamics) e FEM (Finite Element Method), metamodelos para otimização trouxeram resultados relevantes para aproximar a função objetivo no ...
Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores de múltiplas portas considerando as influências da temperatura e da tensão mecância. Os transistores de múltiplas portas demonstram grandes vantagens em relação ao ...
Uma nova abordagem de projeto de amplificadores integrados para biopotenciais, baseados em pseudo-resistores não lineares
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Biopotenciais aparecem como resultado de atividades eletroquímicas de certos tipos de células, conhecidas como células excitáveis, existentes em tecidos nervosos, musculares e glandulares. Essas células possuem um potencial ...
Estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre a corrente de dreno em MOSFETs com geometria de porta trapezoidal
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2014)
Este trabalho trata do estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre as características elétricas dos MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), com formato de portas não retangulares. Para ...
O efeito das capacidades dinâmicas na relação entre a diversificação relacionada e o desempenho
(Centro Universitário FEI, São Paulo, 2018)
A diversificação de negócios é uma estratégia de crescimento comum entre as empresas. Não à toa, a literatura de gestão estratégica tem documentado há bastante tempo os esforços para entender a relação entre a diversificação ...
Simulação do processo de pirólise de resíduo lignocelulósico para produção de insumos químicos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O presente estudo teve como objetivo desenvolver um processo para produção de insumos químicos, baseado na pirólise rápida de resíduos lignocelulósicos proveniente da madeira, utilizando simulação composicional elementar ...