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dc.contributor.authorNOVO, CARLA
dc.contributor.authorBUHLER, RUDOLF
dc.contributor.authorBAPTISTA, JOAO
dc.contributor.authorGIACOMINI, RENATO
dc.contributor.authorAFZALIAN, ARYAN
dc.contributor.authorFLANDRE, DENIS
dc.date.accessioned2019-08-19T23:45:24Z
dc.date.accessioned2023-05-03T20:37:49Z
dc.date.available2019-08-19T23:45:24Z
dc.date.available2023-05-03T20:37:49Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationNOVO, CARLA; BUHLER, RUDOLF; BAPTISTA, JOAO; GIACOMINI, RENATO; AFZALIAN, ARYAN; FLANDRE, DENIS. Quantum Efficiency Improvement of SOI p-i-n Lateral Diodes Operating as UV Detectors at High Temperatures. IEEE Sensors Journal, v. 17, n. 6, p. 1641-1648, 2017.
dc.identifier.issn1558-1748
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12032/89459
dc.relation.ispartofIEEE Sensors Journal
dc.rightsAcesso Restrito
dc.titleQuantum Efficiency Improvement of SOI p-i-n Lateral Diodes Operating as UV Detectors at High Temperaturespt_BR
dc.typeArtigopt_BR


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