Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
| dc.contributor.advisor | Gimenez, S. P. | |
| dc.contributor.author | Cruz, William Souza da | |
| dc.date.accessioned | 2019-06-25T00:06:04Z | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-03T20:36:23Z | |
| dc.date.available | 2019-06-25T00:06:04Z | |
| dc.date.available | 2023-05-03T20:36:23Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | CRUZ, William Souza da. <b> Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm. </b> 2019. 117 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130705>. Acesso em: 2 maio 2019. | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12032/89180 | |
| dc.language | por | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.publisher | Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo | |
| dc.subject | Radiação ionizante | |
| dc.subject | Porta octogonal - geometria | |
| dc.title | Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
Arquivos deste item
| Arquivos | Tamanho | Formato | Visualização |
|---|---|---|---|
| fulltext.pdf | 6.696Mb | application/pdf | Visualizar/ |