Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm

dc.contributor.advisor	Gimenez, S. P.
dc.contributor.author	Cruz, William Souza da
dc.date.accessioned	2019-06-25T00:06:04Z
dc.date.accessioned	2023-05-03T20:36:23Z
dc.date.available	2019-06-25T00:06:04Z
dc.date.available	2023-05-03T20:36:23Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.citation	CRUZ, William Souza da. <b> Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm. </b> 2019. 117 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019 Disponível em: <https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130705>. Acesso em: 2 maio 2019.
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/20.500.12032/89180
dc.language	por
dc.language.iso	pt_BR
dc.publisher	Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
dc.subject	Radiação ionizante
dc.subject	Porta octogonal - geometria
dc.title	Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm	pt_BR
dc.type	Dissertação	pt_BR

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