Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla
| dc.contributor.advisor | Martino, J. A. | |
| dc.contributor.author | Andrade, M. G. C. | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-21T12:32:11Z | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-03T20:35:23Z | |
| dc.date.available | 2019-03-21T12:32:11Z | |
| dc.date.available | 2023-05-03T20:35:23Z | |
| dc.date.issued | 2007 | |
| dc.identifier.citation | ANDRADE, M. G. C. <b> Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla. </b> 2007. 120 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12032/88994 | |
| dc.language | por | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.publisher | Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo | |
| dc.subject | Engenharia elétrica | |
| dc.subject | Tecnologia de silício sobre isolante | |
| dc.title | Estudo da tensão de limiar e inclinação de sublimiar em transistores SOI FinFETs de porta dupla e porta tripla | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
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