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dc.contributor.authorVictor Sonnenberg
dc.contributor.authorNICOLETT, APARECIDO SIRLEY
dc.contributor.authorMARTINO, JOÃO ANTONIO
dc.date.accessioned2021-11-10T18:08:02Z
dc.date.accessioned2023-05-03T20:35:09Z
dc.date.available2021-11-10T18:08:02Z
dc.date.available2023-05-03T20:35:09Z
dc.date.issued2005-01-05
dc.identifier.citationSONNENBERG, V.; NICOLETT, A. S.; MARTINO, J. A. Extração de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. Boletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo, v. BT-18, p. 05-13, 2005.
dc.identifier.issn1518-9082
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12032/88950
dc.description.abstractNeste trabalho serão apresentadas as curvas características de Capacitores SOI-MOS e métodos de extração de parâmetros de processo e elétricos a partir destas curvas. Os métodos são testados e validados por simulações bidimensionais numéricas e aplicados experimentalmente, obtendo-se valores esperados para a tecnologia utilizad.
dc.relation.ispartofBoletim Técnico da Faculdade de Tecnologia de São Paulo
dc.rightsAcesso Restrito
dc.titleExtração de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitorespt_BR
dc.typeArtigopt_BR


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