Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação
| dc.contributor.advisor | Pavanello, M. A. | |
| dc.contributor.author | Santos, Ingrid Catherine B.. | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.accessioned | 2023-05-03T20:34:33Z | |
| dc.date.available | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.available | 2023-05-03T20:34:33Z | |
| dc.date.issued | 2011 | |
| dc.identifier.citation | SANTOS, Ingrid Catherine B. <b> Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação. </b> 2011. 100 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=205>. Acesso em: 15 jul. 2011. | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12032/88835 | |
| dc.language | por | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.publisher | Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo | |
| dc.subject | Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor | |
| dc.title | Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
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