Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação

dc.contributor.advisor	Pavanello, M. A.
dc.contributor.author	Santos, Ingrid Catherine B..
dc.date.accessioned	2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.accessioned	2023-05-03T20:34:33Z
dc.date.available	2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.available	2023-05-03T20:34:33Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	SANTOS, Ingrid Catherine B. <b> Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação. </b> 2011. 100 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=205>. Acesso em: 15 jul. 2011.
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/20.500.12032/88835
dc.language	por
dc.language.iso	pt_BR
dc.publisher	Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subject	Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.title	Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação	pt_BR
dc.type	Dissertação	pt_BR

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