Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional
| dc.contributor.advisor | Gimenez, S. P. | |
| dc.contributor.author | Silva, A. L. | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.available | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/660 | |
| dc.language | por | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.publisher | Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo | |
| dc.subject | Métodos de simulação | |
| dc.subject | Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor | |
| dc.title | Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
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