Mostrar el registro sencillo del ítem

dc.contributor.advisorPavanello, M. A.
dc.contributor.authorSilva Júnior, J. M.
dc.date.accessioned2019-03-20T14:01:00Z
dc.date.available2019-03-20T14:01:00Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.citationSILVA JÚNIOR, J. M. <b> Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos. </b> 2009. 96 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/486
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectBaixas temperaturas
dc.subjectTecnologia de silício sobre isolante
dc.titleEstudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricospt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


Ficheros en el ítem

FicherosTamañoFormatoVer
fulltext.pdf1.726Mbapplication/pdfVer/

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem


© AUSJAL 2022

Asociación de Universidades Confiadas a la Compañía de Jesús en América Latina, AUSJAL
Av. Santa Teresa de Jesús Edif. Cerpe, Piso 2, Oficina AUSJAL Urb.
La Castellana, Chacao (1060) Caracas - Venezuela
Tel/Fax (+58-212)-266-13-41 /(+58-212)-266-85-62

Nuestras redes sociales

facebook Facebook

twitter Twitter

youtube Youtube

Asociaciones Jesuitas en el mundo
Ausjal en el mundo AJCU AUSJAL JESAM JCEP JCS JCAP