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dc.contributor.advisorBellodi, Marcello
dc.contributor.authorCarvalho, Daniel Belo de
dc.date.accessioned2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.available2019-03-21T12:32:12Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationCARVALHO, Daniel Belo de. <b> Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturas. </b> 2012. 119 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012 Disponível em: <http://sofia.fei.edu.br/tede/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=274>. Acesso em: 30 out. 2012.
dc.identifier.urihttps://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/662
dc.languagepor
dc.language.isopt_BR
dc.publisherCentro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo
dc.subjectTransistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor
dc.titleEstudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturaspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR


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