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Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ...
Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos permitidos nos transistores planares de porta única, leva a uma nova era de dispositivos com ...
Estudo de efeitos de canto em transistores de porta tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Neste trabalho são desenvolvidos estudos de efeito de canto em transistores tridimensionais do tipo SOI MOSFET com a segunda interface em depleção ou neutra, através de simulação numérica tridimensional. Foram simulados ...