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A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ...
Estudo do efeito NBTI em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
No presente trabalho, a degradação por efeito NBTI (Negative Bias Temperature Instability) foi analisada em transistores MOS sem junções (JNTs) com canal tipo P. O efeito NBTI incide sobre a confiabilidade dos dispositivos, ...
Análise e modelagem da resistência de espraiamento em transistores FINFET
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
A resistência parasita nos transistores FinFET tende a apresentar valores elevados devido à estreita largura da aleta de silício e isto tem sido uma das principais limitações no uso deste tipo de dispositivo. Diversos ...
Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem por objetivo estudar a influência de diferentes tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS modo inversão (NWs) através da avaliação e comparação de suas características elétricas, obtidas ...
Efeito da tensão mecânica em transistores de múltiplas portas operando em temperaturas criogênicas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores de múltiplas portas considerando as influências da temperatura e da tensão mecância. Os transistores de múltiplas portas demonstram grandes vantagens em relação ao ...
Estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre a corrente de dreno em MOSFETs com geometria de porta trapezoidal
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2014)
Este trabalho trata do estudo do efeito do desalinhamento da máscara de porta sobre as características elétricas dos MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), com formato de portas não retangulares. Para ...
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ...
Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos permitidos nos transistores planares de porta única, leva a uma nova era de dispositivos com ...
Modelagem de nanofios transistores MOS sem junções de porta dupla e tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de um modelo contínuo em todas as regiões de operação, para descrever a corrente elétrica de transistores MOS sem junções de canal curto. Para desenvolver este modelo, é ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...