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Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos permitidos nos transistores planares de porta única, leva a uma nova era de dispositivos com ...