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Estudo da distribuição da corrente em MUGFETS e modelagem da resistência de espraiamento em FINFETS nanométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
O foco deste trabalho é estudar os caminhos da corrente em transistores de múltiplas portas em três regimes de operação (sublimiar, limiar e pós-limiar) e, a partir deste estudo, analisar e modelar o efeito do espraiamento ...
Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...
Estudo de modelos de mobilidade para simulação de dispositivos de múltiplas portas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A utilização da tecnologia SOI ajudou a melhorar a escalabilidade dos transistores mas, com a redução das dimensões, permaneceram relevantes alguns efeitos adversos e indesejáveis. Esses efeitos impulsionaram o desenvolvimento ...
Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O ruído é uma perturbação indesejada que ocorre na tensão e corrente elétrica, proveniente de meios internos ou externos, fazendo com que elas oscilem aleatoriamente. O valor de amplitude que tal perturbação irá apresentar ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...
Impacto da utilização da associação série assimétrica de transistores SOI nas características elétricas de espelhos de corrente
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem o objetivo de estudar o comportamento de espelhos de corrente de fonte comum implementados com Associações Séries Simétricas e Assimétricas de transistores SOI nMOSFET totalmente depletados, comparando-os ...
Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...