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Influência de variações dimensionais decorrentes do processo de fabricação sobre parâmetros elétricos de FinFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A rápida e crescente demanda por tecnologias que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos permitidos nos transistores planares de porta única, leva a uma nova era de dispositivos com ...
Otimização e mapeamento multivariado dos amplificador operacional de transcondutância por algoritmos genéticos.
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Esta dissertação propõe a utilização de uma técnica de Inteligência Artificial denominada Algoritmos Genéticos (AG) para o mapeamento, compreensão e otimização multivariada e com múltiplos objetivos do projeto do amplificador ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Volumetric properties of chloroalkanes + amines mixtures: Theoretical analysis using theERAS-Model
(2009)
In this study, experimental data of excess molar volumes of {dichloromethane (DCM), or trichloromethane (TCM) + n-butylamine (n-BA), or +s-butylamine (s-BA), or +t-butylamine (t-BA), or +diethylamine (DEA), or +triethylamine ...
Estudo do efeito de redução de barreira induzida pelo dreno em temperaturas criogênicas para transistores SOI ultra-submicrométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do ...
Modelagem de domínios temporais de planejamento com UML.P
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
A necessidade de trataar domínios reais impulsionou fortemente o desenvolvimento dos sistemas de planejamento automático. Contudo, apesar deste avanço, existem lacunas entre o que se pode representar no mundo real e o que ...
Advantages of graded-channel SOI nMOSFETs for application as source-follower analog buffer
(2008)
In this work the performance of graded-channel (GC) SOI MOSFETs operating as source-follower buffers is presented. The experimental analysis is performed by comparing the gain and linearity of buffers implemented with GC ...
Desenvolvimento de um modelo de programação linear para apoio à tomada de decisão em uma cadeia de suprimentos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
O cenário de negócios atual é caracterizado pela alta competitividade e pelo aumento do nível de exigência do consumidor. Ele exige das organizações novos padrões de custo, de qualidade, de agilidade e de flexibilidade que ...
Inovações de ruptura:um estudo sobre a estratégia em organização incumbente no setor bancário
(Centro Universitário FEI, São Paulo, 2009)
Esta dissertação apresenta um estudo sobre a prática da estratégia organizacional no setor bancário brasileiro, abordando especificamente os aspectos relativos ao processo de tomada de decisão de um incumbente face as ...