Centro Universitario FEI: Recent submissions
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Projeto de circuitos integrados digitais utilizando-se de ferramentas computacionais de demonstração e profissional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2014) -
Análise estatística multivariada de imagens cerebrais de controle e pacientes com transtorno obsessivo compulsivo
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)Preocupações, dúvidas e comportamentos ritualizados são, com certeza, fenômenos necessários para a adaptação dos seres humanos e de diversas outras espécies. No momento em que estes fenômenos passam a ocorrer de maneira ... -
Estudo comparativo experimental entre o casamento do SOI nMOSFETs do tipo diamante do tipo diamante e dos seus respectivos convencionais equivalentes
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)O MOSFET de geometria de porta hexagonal (estilo de leiaute do tipo Diamante) foi especialmente projetado com o objetivo de melhorar o desempenho elétrico desses transistores, em comparação ao transistor de geometria de ... -
Implementação em FPGA de um microcontrolador 8051 a partir do código VHDL e geração automática de leiaute dos blocos ULA e RAM utilizando as ferramentas de CAD da mentor graphics
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2014)O crescente mercado de smartphones, tablets e sensores para automação pessoal, predia e industrial tem impulsionado a utilização eletrônica embarcada nas diferentes aplicações de Circuitos integrados (CIs) atuais. O ponto ... -
Identificação da relação entre variáveis de navegação e perfis psicológicos de usuários
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2014)Mesmo com um conjunto de técnicas aplicadas para facilitar a experiência do usuário na navegação de um site qualquer, tipicamente, grande parte das interfaces acaba por não auxiliar os usuários a alcançar seus objetivos. ... -
Estudo comparativo de tecnologias CMOS e SOI-CMOS aplicadas a fotodiodos laterais PIN
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)A detecção óptica tem várias aplicações comerciais importantes, tais como sistemas de imagem, armazenamento de dados ópticos, comunicação óptica de dados, aplicações nas áreas médica, de meio-ambiente e espacial. Tais ... -
Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em ... -
Modelo analítico de resistência parasitária para FINFETS de porta dupla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)Com o intuito de acompanhar a demanda cada vez maior de tecnologias de circuitos integrados que permitam a redução das dimensões dos transistores além dos limites físicos dos transistores de porta única, surgiram como ... -
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ... -
Estudo dos efeitos transitórios da radiação sobre a confiabilidade de transistores SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)Dispositivos eletrônicos possuem vasta aplicação, nos mais diversos cenários, e isto inclui os ambientes radioativos. Estes dispositivos precisam ser confiáveis para suas missões, uma vez que falhas em funções críticas ... -
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ... -
Aprendizado por reforço acelerado por heurísticas no domínio do futebol de robôs simulado
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2007)O aprendizado por reforço é uma técnica muito conhecida para a solução de problemas quando o agente precisa atuar com sucesso em um local desconhecido por meio de tentativa e erro. Porém, esta técnica não é eficiente o ... -
Estudo comparativo entre tecnologias CMOS, NMOS e SOI em um circuito de APS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012) -
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ... -
Descrição automática de pacientes com esquizofrenia e controles saudáveis
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)Este trabalho apresenta uma abordagem para auxiliar especialistas na realização de diagnósticos baseados em imagens médicas, apresentando um método automático para a obtenção de regiões neuroanatômicas candidatas à ... -
Estudo comparativo do ruído flicker (1/f) entre amplificadores operacionais de transcondutância utilizando tecnologia convencional e de canal gradual (GC) SOI nMOSFET
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)Este trabalho tem por objetivo descrever a metodologia de desenvolvimento de projeto e realizar a caracterização elétrica em corrente contínua (CC) e alternada (AC), por simulação SPICE, de um amplificador operacional de ... -
A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ... -
Caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância implementado com GC SOI MOSFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)Neste trabalho é apresentado um estudo da caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância (OTA) implementados com transistores SOI de canal gradual (GC SOI) e, também fazer a validação do modelo ... -
Estudo experimental da resposta em frequência entre o MOSFET do tipo diamante e o equivalente convencional para as tecnologias CMOS convencioanl e SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)As pesquisas atuais têm como objetivo a redução nas dimensões dos circuitos integrados, o que tem sido alcançado com o desenvolvimento de novas tecnologias de transistores, como por exemplo, os MOSFETs tridimensionais, ... -
Estudo comparativo experimental entre o estilo de leiaute wave e o convencional equivalente para implementação de circuitos integrados analógicos e digitais
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)