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Análise da mobilidade em transistores SOI de canal gradual visando simulações de circuitos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
de-Semiconductor Field Effect Transistor) é um transistor SOI cujo canal está dividido em duas regiões: uma região fortemente dopada e outra região fracamente dopada. A redução da concentração de dopantes na região do canal ...