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Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos. Dentre os novos dispositivos, o FinFET e o UTBB estão entre os poucos que permitem o ...