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Modelagem analítica de transistores SOI de canal gradual com porta dupla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Apresenta-se neste trabalho o desenvolvimento de um modelo analítico para transistores nMOSFET de porta dupla (Double-Gate - DG) com canal gradual (Graded-Channel - GC) fabricados em tecnologia Silício sobre Isolante ...