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Estudo do efeito NBTI em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
No presente trabalho, a degradação por efeito NBTI (Negative Bias Temperature Instability) foi analisada em transistores MOS sem junções (JNTs) com canal tipo P. O efeito NBTI incide sobre a confiabilidade dos dispositivos, ...
Estudo de diodos PIN fabricados em substratos SOI operando como células solares
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
O trabalho apresentado demonstra o uso de diodos PIN fabricados no substrato de lâminas de tecnologia SOI, operando como células solares, visando à conversão de energia solar em eletricidade. A implementação de tais ...