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Estudo e fabricação de MOSFETs robustos à radiação para aplicações espaciais de circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Atualmente circuitos integrados comerciais robustos a radiacao tem alto valor comercial, por causa da alta tecnologia envolvida (processo de manufatura e leiautes especiais), baixo volume de producao, acordos comerciais, ...
Associação série e análise de descasamento em transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)