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Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem por objetivo estudar a influência de diferentes tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS modo inversão (NWs) através da avaliação e comparação de suas características elétricas, obtidas ...
Modelagem de nanofios transistores MOS sem junções de porta dupla e tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de um modelo contínuo em todas as regiões de operação, para descrever a corrente elétrica de transistores MOS sem junções de canal curto. Para desenvolver este modelo, é ...