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A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ...
Efeito de corpo em transistores SOI de porta dupla vertical
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2009)
Este trabalho tem como objetivo apresentar um estudo da influência da polarização de substrato ou porta inferior em dispositivos FinFET SOI com paredes paralelas e canal n, por meio de simulações numéricas tridimensionais. ...
Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...
Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...