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Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenho
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Este trabalho apresenta uma análise, realizada através de simulações numéricas bidimensionais, simulações SPICE e caracterizações experimentais, de associações série (SC), implementadas na tecnologia Camada de Silício e ...
Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho é apresentada uma análise dos efeitos da variação da temperatura sobre as características analógicas da associação série assimétrica (Asymmetric Self-Cascode – A-SC) de transistores nMOS implementados em ...